La carrera por el liderazgo en memoria para inteligencia artificial suma un nuevo capítulo tecnológico mientras el mercado intenta digerir uno de los vaivenes más bruscos del año en el sector de semiconductores. SK Hynix presentó esta semana en la feria SEDEX su nuevo HBM4E, un desarrollo que alcanza una velocidad de transferencia punta de 16 gigabits por segundo y mejora en más de un 20% la eficiencia energética respecto al estándar previo, HBM4. Junto a ese lanzamiento, el fabricante surcoreano exhibió memorias flash de banda ultraancha y otras soluciones complementarias orientadas a cargas de trabajo de IA.
El escaparate tecnológico llega después de una jornada negra en los mercados asiáticos. El jueves, el título de SK Hynix se dejó un 11,06% y el índice de referencia KOSPI retrocedió un 7,57%. Detrás del desplome, según Reuters, se combinaron una inflación estadounidense persistentemente rígida —que reavivó las expectativas de subidas de tipos— con las dudas sobre la magnitud del boom inversor en inteligencia artificial, avivadas por las pérdidas registradas en Wall Street. Este viernes el valor se estabiliza con un avance del 0,8% hasta los 1.272.000,00 KRW, lo que eleva la revalorización acumulada en lo que va de año al 96%.
Un competidor chino aprieta en el DRAM convencional
Mientras SK Hynix defiende su trono en high bandwidth memory, la presión llega por el flanco de la memoria clásica. ChangXin Memory Technologies (CXMT) anunció el 10 de octubre avances en su diseño de celda DRAM 4F² y puso fecha para llevar al mercado productos DDR5 para servidores basados en esa arquitectura antes de que termine el año. El presidente de la firma china, Mark Cao, situó además en el horizonte de finales de 2026 la llegada de sus primeros módulos DDR5 de servidor sobre esa base tecnológica.
La noticia encendió las alarmas sobre un posible endurecimiento de la competencia y una eventual presión sobre los precios para los fabricantes consolidados. Conviene matizar, no obstante, que los actores establecidos no se han quedado quietos: tanto Samsung Electronics como la propia SK Hynix trabajan en arquitecturas 4F² similares para preservar su ventaja técnica, según reportes de medios recogidos por Reuters.
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El frente regulatorio en Estados Unidos
A la tensión competitiva se suma el frente geopolítico. SK Hynix ha solicitado a las autoridades estadounidenses autorización para instalar equipos adicionales de fabricación de chips en su planta de Dalian, en China. La gestión se enmarca en los planes de su filial estadounidense Solidigm, que proyecta construir una fábrica de NAND en territorio norteamericano. La licencia sigue pendiente de aprobación, de acuerdo con Reuters, aunque la compañía sostiene que la instalación de maquinaria avanza en coordinación con el Gobierno de Estados Unidos y bajo su autorización.
Los analistas apuntan más alto
En el plano de las estimaciones, el ánimo sigue siendo constructivo. El analista Han Dong-hee, de SK Securities, elevó este viernes sus previsiones de beneficio para el próximo ejercicio, apoyándose en una escasez de memoria que se profundiza y en el encarecimiento del high bandwidth memory. Para el tercer trimestre de 2026, los expertos calculan un beneficio operativo de 80,1 billones de wones.
Los inversores conocerán la letra pequeña de esas cuentas muy pronto. La conferencia telefónica de resultados del tercer trimestre de 2026 está fijada para el 28 de octubre a las 9:00 horas, hora local de Seúl.
El calendario de HBM4, bajo revisión
En el capítulo de las generaciones futuras, los observadores del sector siguen con atención el próximo escalón productivo. Según informaciones periodísticas, algunos pedidos de equipos de fabricación de backend para la producción de HBM4 podrían desplazarse de 2026 a 2027. Se trata de un posible ajuste de los plazos, no de una decisión corporativa confirmada. Para SK Hynix, ampliar capacidad en memoria avanzada para IA continúa siendo la palanca decisiva con la que atender la demanda creciente de sus grandes clientes.
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